Intel es el gigante del chip, eso no admite discusión, y ya se encargo de aclararlo en este artículo. Sin embargo Samsung también está haciendo muy bien las cosas con el silicio, tanto que ya está preparada para iniciar la producción de chips de 10 nm de segunda generación.
Este es tema sobre el que ya hemos hablado en ocasiones anteriores, pero volveremos a dar una explicación sencilla por si alguien se ha perdido. En los diferentes procesos de producción se suele reducir los nanómetros para conseguir determinadas mejoras a nivel de consumo, temperaturas, rendimiento y costes, pero eso requiere a su vez una cierta maduración del proceso que puede abrir las puertas a un aumento importante de dichas mejoras sin tener que volver a reducir nanómetros.
Es por eso que Samsung ha decidido dar el paso hacia los chips de 10 nm de segunda generación, una evolución que según el gigante surcoreano permitirá mejorar el rendimiento en un 10% o reducir el consumo en un 15%. No son cambios “enormes”, pero ya sabemos que las mejoras en el mundo de los procesadores basados en silicio son cada vez más complejas y se dejan notar menos.
Hemos podido confirmar que el nuevo proceso de 10 nm de Samsung se conoce como “LPP” (Low Power Plus), en contraposición al “LPE” (Low Power Early) que utilizan en los Exynos 8895 y los Snapdragon 835, chips que como sabemos están presentes en el Galaxy S8.
No es la primera vez que Samsung sigue esta estrategia, ya que por ejemplo el Exynos 7420 del Galaxy S6 fue un chip de 14 nm “LPE” y el Exynos 8890 del Galaxy S7 estuvo fabricado en proceso de 14 nm “LPP”, aunque debemos tener en cuenta que cabe la posibilidad de que el gigante coreano se acabe viendo obligado a introducir una tercera “optimización” en futuras generaciones, sobre todo cuando nos acerquemos al límite teórico del silicio.
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